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Samsung presenta la tecnologia di produzione di chip 17LPV: tecnologia di processo ibrida a 14 e 28 nm

Samsung presenta la tecnologia di produzione di chip 17LPV: tecnologia di processo ibrida a 14 e 28 nm

Samsung ha annunciato una nuova tecnologia di processo a 17 nm progettata per produrre prodotti che ora sono realizzati utilizzando un processo planare a 28 nm, ma che potrebbe beneficiare di un passaggio al processo FinFET a 14 nm. Tuttavia, la maggior parte dei prodotti a semiconduttore sono ora realizzati utilizzando processi di produzione meno avanzati e Samsung offre loro l'opportunità di migliorare.

Quando si progettano componenti a semiconduttore, gli standard di progettazione vengono sempre presi in considerazione. Pertanto, non puoi semplicemente iniziare a produrre componenti sviluppati per una tecnologia di processo a 28 nm su linee più moderne a 14 nm, poiché utilizzano un approccio completamente diverso alla formazione dei microcircuiti, per non parlare delle differenze nel design dei transistor stessi.

La produzione tiene conto di due o tre segmenti principali. La produzione inizia con la fase di Front-End-Of-Line (FEOL) - la formazione delle parti attive del cristallo. Quando parliamo di tecnologie avanzate, intendiamo FEOL, che implementa i mezzi più avanzati per creare celle di silicio. Segue la fase di Back-End-Of-Line (BEOL) - la formazione di interconnessioni e connessioni ausiliarie. A volte viene indicato come stadio intermedio Middle-End-of-Line (MEOL), in cui si formano minuscole strutture metalliche che si collegano alle linee BEOL.

Quando si descrivono le tecnologie, ad esempio 28 nm, vengono forniti standard di progettazione per entrambe le fasi: FEOL e BEOL. Ma in alcuni casi, i produttori combinano alcuni codici di progettazione FEOL con altri BEOL per creare una linea di prodotti con alcune caratteristiche di entrambi i segmenti. Ecco come è stata implementata la nuova tecnologia 17LPV (Low Power Value) a 17 nm, annunciata al Samsung Foundry Forum.

La tecnologia 17LPV combina FEOL a 14 nm (e quindi FinFET a 14 nm) con interconnessioni BEOL a 28 nm. Ciò significa che a un costo aggiuntivo, i clienti possono beneficiare delle prestazioni e del consumo energetico della tecnologia FinFET senza il costo aggiuntivo dei BEOL più densi. Samsung ha affermato che la tecnologia 17LPV offre il 43% in meno di area dei componenti, il 39% in più di prestazioni o il 49% in più di efficienza energetica rispetto alle sue controparti a 28 nm.

In pratica, soluzioni basate su 17LPV possono essere utilizzate, ad esempio, nei processori di segnale per l'elaborazione di immagini da una telecamera, dove non è richiesta la massima densità di elementi. Inoltre, Samsung utilizzerà la tecnologia nella produzione di display - su componenti ad alta tensione.

Samsung ha anche introdotto la tecnologia 14LPU (Low Power Ultimate) per uno scopo simile e un'architettura probabile che verrà utilizzata nella MRAM incorporata e nei microcontrollori. L'azienda non ha ancora chiarito i tempi dell'introduzione di nuove soluzioni, ma i rappresentanti di Samsung Foundry hanno definito queste tecnologie "un cambio di paradigma" per l'azienda, che migliorerà i componenti specializzati.


2021-10-07 16:19:01

Autore: Vitalii Babkin

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