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Samsung dévoile la technologie de fabrication de puces 17LPV - Technologie de traitement hybride 14 et 28 nm

Samsung dévoile la technologie de fabrication de puces 17LPV - Technologie de traitement hybride 14 et 28 nm

Samsung a annoncé une nouvelle technologie de processus 17 nm conçue pour fabriquer des produits qui sont désormais fabriqués à l'aide d'un processus planaire 28 nm, mais pourrait bénéficier d'un passage au processus FinFET 14 nm. Cependant, la plupart des produits semi-conducteurs sont désormais fabriqués à l'aide de procédés de fabrication moins avancés, et Samsung leur offre la possibilité de s'améliorer.

Lors de la conception de composants semi-conducteurs, les normes de conception sont toujours prises en compte. Par conséquent, vous ne pouvez pas simplement commencer à produire des composants développés pour une technologie de processus 28 nm sur des lignes 14 nm plus modernes, car ils utilisent une approche complètement différente de la formation de microcircuits, sans parler des différences dans la conception des transistors eux-mêmes.

La production prend en compte deux ou trois segments principaux. La production commence par l'étape Front-End-Of-Line (FEOL) - la formation des parties actives du cristal. Lorsque nous parlons de technologies avancées, nous entendons FEOL, qui met en œuvre les moyens les plus avancés pour créer des cellules en silicium. Ceci est suivi par l'étape Back-End-Of-Line (BEOL) - la formation des interconnexions et des connexions auxiliaires. Il est parfois appelé le stade intermédiaire Middle-End-of-Line (MEOL), dans lequel de minuscules structures métalliques sont formées qui se connectent aux lignes BEOL.

Lors de la description des technologies, par exemple 28 nm, des normes de conception sont fournies pour les deux phases - FEOL et BEOL. Mais dans certains cas, les fabricants combinent certains codes de conception FEOL avec d'autres BEOL pour créer une gamme de produits avec certaines caractéristiques des deux segments. C'est ainsi qu'a été implémentée la nouvelle technologie 17-nm 17LPV (Low Power Value), annoncée lors du Samsung Foundry Forum.

La technologie 17LPV combine un FEOL 14 nm (et donc des FinFET 14 nm) avec des interconnexions BEOL 28 nm. Cela signifie qu'à un coût supplémentaire, les clients peuvent bénéficier des performances et de la consommation d'énergie de la technologie FinFET sans le coût supplémentaire des BEOL plus denses. Samsung a déclaré que la technologie 17LPV offre 43 % de surface de composants en moins, 39 % de performances en plus ou 49 % d'efficacité énergétique en plus par rapport à ses homologues de 28 nm.

En pratique, les solutions basées sur le 17LPV peuvent être utilisées, par exemple, dans les processeurs de signal pour le traitement des images d'une caméra, où une densité d'éléments maximale n'est pas requise. De plus, Samsung utilisera la technologie dans la production d'écrans - sur des composants haute tension.

Samsung a également introduit la technologie 14LPU (Low Power Ultimate) dans un but similaire et une architecture probable qui sera utilisée dans la MRAM intégrée et les microcontrôleurs. La société n'a pas encore clarifié le calendrier d'introduction de nouvelles solutions, mais les représentants de Samsung Foundry ont qualifié ces technologies de "changement de paradigme" pour la société, qui améliorera les composants spécialisés.


2021-10-07 16:19:01

Auteur: Vitalii Babkin

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