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Il Giappone ha sviluppato una memoria flash in grado di memorizzare 7 bit per cella

Il Giappone ha sviluppato una memoria flash in grado di memorizzare 7 bit per cella

L'azienda giapponese Floadia ha sviluppato una memoria flash che consente di scrivere 7 bit di dati in una cella, oltre a conservarli per 10 anni a temperature fino a 150 ° C. Per confronto, le moderne unità flash presumono che non vengano scritti più di 4 bit in una cella.

Lo sviluppo si è basato sulla tecnologia SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon), creata per i microcontrollori, alla quale sono state apportate alcune modifiche. L'azienda ha modificato la struttura degli strati di mantenimento della carica utilizzando il film Ono, inoltre è cambiata la struttura della cella e del controller di archiviazione. Come hanno chiarito gli sviluppatori, senza apportare tutte queste modifiche, 7 bit in una cella sono stati mantenuti per non più di 100 secondi.

L'attuale tecnologia di memoria flash 3D QLC NAND sul mercato presuppone una registrazione di 4 bit per cella e un "fattore di sicurezza" di circa 1000 cicli di riscrittura a temperatura normale. Inizialmente, la tecnologia Floadia SONOS offre un numero maggiore di cicli di riscrittura (fino a 100.000 volte) e la capacità di memorizzare i dati per un tempo più lungo (fino a 10 anni). Ma c'è una sfumatura. È destinato a microcontrollori che non richiedono grandi quantità di dati e sono realizzati sulla base di processori tecnologici obsoleti (55-350 nm). Di conseguenza, la densità di memoria dell'unità è inferiore alle tecnologie moderne tradizionali, anche la velocità dei moduli è bassa.

Tuttavia, la nuova tecnologia Floadia può essere utilizzata in soluzioni che coinvolgono l'elaborazione in memoria: l'azienda intende utilizzare l'invenzione negli acceleratori per i sistemi di intelligenza artificiale, in cui fornirà prestazioni migliori rispetto alle soluzioni attuali. Floadia tradizionalmente concede in licenza la sua tecnologia ai produttori interessati. Non è chiaro se l'azienda sarà in grado di perfezionare la sua tecnologia per l'utilizzo nei tradizionali chip di memoria NAND 3D.


2021-12-15 20:33:44

Autore: Vitalii Babkin

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