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Japan hat einen Flash-Speicher entwickelt, der 7 Bit pro Zelle speichern kann

Japan hat einen Flash-Speicher entwickelt, der 7 Bit pro Zelle speichern kann

Das japanische Unternehmen Floadia hat einen Flash-Speicher entwickelt, mit dem Sie 7 Bit Daten in eine Zelle schreiben und 10 Jahre lang bei Temperaturen bis zu 150 ° C speichern können. Zum Vergleich: Moderne Flash-Laufwerke gehen davon aus, dass nicht mehr als 4 Bit in eine Zelle geschrieben werden.

Die Entwicklung basierte auf der für Mikrocontroller entwickelten SONOS-Technologie (Silicon-Oxide-Nitrid-Oxide-Silicon), an der einige Änderungen vorgenommen wurden. Das Unternehmen änderte den Aufbau der ladungserhaltenden Schichten mittels Ono-Folie, außerdem änderte sich der Aufbau der Zelle und des Speichercontrollers. Wie die Entwickler klarstellten, wurden 7 Bits in einer Zelle ohne all diese Änderungen nicht länger als 100 Sekunden gehalten.

Die aktuelle 3D-QLC-NAND-Flash-Speichertechnologie auf dem Markt geht von 4 Bit Aufnahme pro Zelle und einem "Sicherheitsfaktor" von etwa 1000 Überschreibzyklen bei Normaltemperatur aus. Anfänglich bietet die Floadia SONOS-Technologie eine höhere Anzahl von Überschreibzyklen (bis zu 100.000 Mal) und die Möglichkeit, Daten über einen längeren Zeitraum (bis zu 10 Jahre) zu speichern. Aber es gibt eine Nuance. Es ist für Mikrocontroller gedacht, die keine großen Datenmengen benötigen und auf Basis veralteter technologischer Prozessoren (55-350 nm) hergestellt werden. Dadurch ist die Speicherdichte des Laufwerks traditionellen modernen Technologien unterlegen, auch die Geschwindigkeit der Module ist gering.

Die neue Floadia-Technologie kann jedoch in Lösungen eingesetzt werden, die Computing in Memory beinhalten – das Unternehmen beabsichtigt, die Erfindung in Beschleunigern für Systeme der künstlichen Intelligenz einzusetzen, in denen sie eine bessere Leistung als aktuelle Lösungen bieten wird. Floadia lizenziert seine Technologie traditionell an interessierte Hersteller. Es ist unklar, ob das Unternehmen seine Technologie für den Einsatz in traditionellen 3D-NAND-Speicherchips verfeinern kann.


2021-12-15 20:33:44

Autor: Vitalii Babkin

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