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일본은 셀당 7비트를 저장할 수 있는 플래시 메모리를 개발했습니다.

일본은 셀당 7비트를 저장할 수 있는 플래시 메모리를 개발했습니다.

일본 회사 Floadia는 하나의 셀에 7비트의 데이터를 쓸 수 있을 뿐만 아니라 최대 150°C의 온도에서 10년 동안 저장할 수 있는 플래시 메모리를 개발했습니다. 비교를 위해 최신 플래시 드라이브는 셀에 기록되는 비트가 4비트를 넘지 않는다고 가정합니다.

개발은 마이크로컨트롤러용으로 개발된 SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Oxide-Silicon) 기술을 기반으로 했으며 일부 변경이 이루어졌습니다. 회사는 Ono 필름을 사용하여 전하 유지 층의 구조를 변경하고 셀 및 스토리지 컨트롤러의 구조를 변경했습니다. 개발자가 명확히 했듯이 이러한 모든 변경 없이 셀의 7비트는 100초 이상 유지되지 않았습니다.

현재 시장에 나와 있는 3D QLC NAND 플래시 메모리 기술은 셀당 4비트 기록과 정상 온도에서 약 1000번의 다시 쓰기 주기의 "안전 계수"를 가정합니다. 초기에 Floadia SONOS 기술은 더 많은 재작성 주기(최대 100,000회)와 더 긴 시간(최대 10년) 동안 데이터를 저장할 수 있는 기능을 제공합니다. 그러나 뉘앙스가 있습니다. 많은 양의 데이터가 필요하지 않고 구식 기술 프로세서(55-350nm)를 기반으로 제조되는 마이크로 컨트롤러용입니다. 결과적으로 드라이브의 메모리 밀도는 기존의 현대 기술보다 열등하고 모듈의 속도도 낮습니다.

그러나 새로운 Floadia 기술은 메모리 컴퓨팅과 관련된 솔루션에 사용할 수 있습니다. 회사는 이 발명을 현재 솔루션보다 더 나은 성능을 제공하는 인공 지능 시스템용 가속기에 사용할 계획입니다. Floadia는 전통적으로 관심 있는 제조업체에 기술 라이선스를 제공합니다. 회사가 기존 3D NAND 메모리 칩에 사용하기 위해 기술을 개선할 수 있는지 여부는 불분명합니다.


2021-12-15 20:33:44

작가: Vitalii Babkin

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