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Samsung promette la produzione di massa di memoria flash NAND 3D a 236 strati entro la fine dell'anno

Samsung promette la produzione di massa di memoria flash NAND 3D a 236 strati entro la fine dell'anno

Quest'estate, i principali produttori di memorie flash hanno annunciato l'intenzione di dominare la prossima frontiera nella complessità del packaging 3D NAND. American Micron Technology ha annunciato all'inizio delle consegne di cristalli a 232 strati, SK hynix ha aumentato le tariffe a 238 strati. Ora Samsung Electronics è pronta ad annunciare che inizierà le consegne di memorie a 236 strati entro la fine di quest'anno.

Come si può notare, la diffusione delle caratteristiche della memoria NAND 3D multistrato fornita dai principali produttori è molto ridotta. Allo stesso tempo, Samsung Electronics, che ha fatto il suo annuncio per ultimo, non ha potuto bloccare le offerte dei concorrenti, ma è rientrata nella fascia media. Non dimentichiamo, però, che è Samsung a rimanere il più grande produttore di chip di memoria, e per essa è fondamentale la capacità di produrre NAND 3D con le caratteristiche desiderate in volumi adeguati.

Ora Samsung Electronics occupa il 35% del mercato delle memorie flash, ma fornisce chip NAND 3D con non più di 176 strati. È pronto per aumentarlo di 60 strati entro la fine di quest'anno. Questo mese il colosso coreano aprirà un nuovo centro di ricerca specializzato nello sviluppo di promettenti tipi di memoria a stato solido. A quanto pare, un nuovo impulso all'attività di investimento di Samsung Electronics è stato dato questo mese dall'amnistia finale del capo formale dell'azienda, Lee Jae-yong, che sta ottenendo l'opportunità di diventare presidente del consiglio di amministrazione dell'impero fondato da suo nonno.


2022-08-17 11:09:32

Autore: Vitalii Babkin

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