Auf dem Samsung Tech Day 2021 sprach der südkoreanische Hersteller darüber, was in Zukunft auf dem Speichermarkt zu erwarten ist.
Da Samsung JEDEC-Mitglied ist, kann es bereits die geschätzten technischen Eigenschaften von DDR6 benennen, deren Spezifikationen sich in der Entwicklung befinden und bis 2024 genehmigt werden können. Nach Angaben des südkoreanischen Herstellers soll die Arbeitsgeschwindigkeit des neuen RAM-Standards auf 12.800 MT/s steigen, bei Übertaktung könnte dieser Wert auf 17.000 MT/s steigen. In DDR6 wird es eine Verdoppelung der internen Kanäle und Speicherbänke im Vergleich zu DDR5 geben.
In Sachen Low Power DDR (LPDDR)-Speicher für mobile Geräte arbeitet Samsung derzeit an LPDDR5-Chips mit Geschwindigkeiten von bis zu 6400 MT/s und LPDDR5X mit Geschwindigkeiten bis zu 8500 MT/s. Den zweiten Standard hatte der südkoreanische Hersteller vergangene Woche angekündigt. Das Unternehmen wird ab nächstem Jahr mit der Massenproduktion von LPDDR5X-Speichern im Prozess 1a beginnen. Laut Samsung wird der zukünftige LPDDR6-Speicher Geschwindigkeiten von bis zu 17.000 MT/s bieten und bis zu 20 % energieeffizienter sein als LPDDR5X.
Samsung sprach auch über Pläne für die aktuelle Generation des GDDR6-Grafikspeichers. Wie Computer Base berichtet, wird das Unternehmen mit der Produktion von Chips auf der 1z-Prozesstechnologie beginnen und deren Bandbreite auf 24 Gb/s erhöhen. Die aktualisierten Chips können als GDDR6 + bezeichnet werden. Verfügbarkeitsdaten werden nicht bekannt gegeben. Längerfristig wird auch die Veröffentlichung eines neuen Standards für den Videospeicher GDDR7 mit einer Geschwindigkeit von bis zu 32.000 MT/s in Erwägung gezogen. Und eine seiner Funktionen wird die Unterstützung für Echtzeit-Fehlerkorrektur sein. Zwar hat der Hersteller hierzu keine Angaben gemacht.
Im vergangenen Monat gab SK hynix den Abschluss der Entwicklung von HBM3-Speicherchips mit Geschwindigkeiten von bis zu 819 GB / s bekannt, die im nächsten Jahr in neuen Produkten erscheinen werden. Auch Samsung arbeitet in diese Richtung. Der Hersteller kündigte die Entwicklung von HBM3-Speicher mit einer Transferrate von 800 GB/s sowie der Übergangsgeneration HBM2E mit einer Transferrate von bis zu 450 GB/s an. Der Hersteller wird im zweiten Quartal nächsten Jahres mit der Massenproduktion von HBM3-Speicher beginnen.
2021-11-19 15:37:02
Autor: Vitalii Babkin