Lors du Samsung Tech Day 2021, le fabricant sud-coréen a expliqué à quoi s'attendre sur le marché de la mémoire à l'avenir.
Étant donné que Samsung est membre du JEDEC, il peut déjà citer les caractéristiques techniques estimées de la DDR6, dont les spécifications sont en cours de développement et pourraient être approuvées d'ici 2024. Selon le constructeur sud-coréen, la vitesse de fonctionnement de la nouvelle norme RAM devrait passer à 12 800 MT/s, et avec l'overclocking ce chiffre pourrait monter à 17 000 MT/s. En DDR6, il y aura un doublement des canaux internes et des banques de mémoire par rapport à la DDR5.
En termes de mémoire Low Power DDR (LPDDR) pour les appareils mobiles, Samsung travaille actuellement sur des puces LPDDR5 à des vitesses allant jusqu'à 6400 MT/s et LPDDR5X à des vitesses allant jusqu'à 8500 MT/s. Le constructeur sud-coréen a annoncé la deuxième norme la semaine dernière. La société commencera la production en série de la mémoire LPDDR5X sur le processus 1a à partir de l'année prochaine. Selon Samsung, la future mémoire LPDDR6 pourra offrir des vitesses allant jusqu'à 17 000 MT/s et sera jusqu'à 20 % plus économe en énergie que la LPDDR5X.
Samsung a également parlé de plans pour la génération actuelle de mémoire graphique GDDR6. Comme le rapporte Computer Base, la société va lancer la production de puces sur la technologie de processus 1z et augmenter leur bande passante à 24 Gb/s. Les puces mises à jour peuvent être désignées GDDR6+. Les dates de disponibilité ne sont pas divulguées. A plus long terme, la sortie d'une nouvelle norme pour la mémoire vidéo GDDR7 avec une vitesse allant jusqu'à 32 000 MT/s est également envisagée. Et l'une de ses fonctionnalités sera la prise en charge de la correction d'erreurs en temps réel. Certes, le fabricant n'a fourni aucun détail à ce sujet.
Le mois dernier, SK hynix a annoncé l'achèvement du développement des puces mémoire HBM3 avec des vitesses allant jusqu'à 819 Go / s, qui apparaîtront dans de nouveaux produits l'année prochaine. Samsung travaille également dans ce sens. Le constructeur a annoncé le développement de la mémoire HBM3 avec un taux de transfert de 800 Go/s, ainsi que la génération de transition HBM2E avec un taux de transfert allant jusqu'à 450 Go/s. Le fabricant commencera la production en série de la mémoire HBM3 au deuxième trimestre de l'année prochaine.
2021-11-19 15:37:02
Auteur: Vitalii Babkin