Auf dem OCP Summit 2021 präsentierte das südkoreanische Unternehmen SK hynix HBM3-Speicherstacks. Erst kürzlich bestätigte der Hersteller die Entwicklung von 24 GB HBM3-Speichermodulen mit Geschwindigkeiten von bis zu 819 GB/s pro Stack. Diese Mikroschaltungen sollen auf absehbare Zeit zusammen mit Hochleistungs-GPUs eingesetzt werden.
Das JEDEC Semiconductor Standardization Committee muss die HBM3-Speicherspezifikationen noch finalisieren. SK hynix hat seine Bandbreite unabhängig von den ursprünglich angekündigten 5,2 Gbit/s auf 6,4 Gbit/s pro Kontakt erhöht. Derzeit ist jedoch nicht bekannt, wie nahe die Eigenschaften der Speicherchips des südkoreanischen Herstellers an den endgültigen Spezifikationen des Standards liegen, der in der Massenproduktion von Grafikbeschleunigern der neuen Generation zum Einsatz kommen wird.
SK hynix HBM3 DRAM-Module können bis zu 12 Speicherkristalle enthalten, die in einem vertikalen Stapel mit einem Controller ganz unten in der Baugruppe gestapelt und durch eine 1024-Bit-Schnittstelle vereint sind. Obwohl sich der Controller selbst seit den Tagen des HBM2-Speicherstandards nicht geändert hat, ermöglichen eine erhöhte Anzahl von Speicherquarzen in einem Modul und eine erhöhte Betriebsfrequenz eine Datenübertragungsrate über die Schnittstelle von 819 GB / s, was 78% schneller ist als HBM2E-Speicher.
Ein theoretisches Produkt auf Basis von 12 HBM3-Speichermodulen von SK hynix bietet 288 GB Gesamtspeicher mit einer maximalen Bandbreite von bis zu 9,8 TB/s.
2021-11-11 19:00:56
Autor: Vitalii Babkin