No OCP Summit 2021, a empresa sul-coreana SK hynix apresentou pilhas de memória HBM3. O fabricante confirmou recentemente o desenvolvimento de módulos de memória HBM3 de 24 GB em velocidades de até 819 GB / s por pilha. Esses microcircuitos são planejados para serem usados em conjunto com GPUs de alto desempenho em um futuro próximo.
O Comitê de Padronização de Semicondutores JEDEC ainda não finalizou as especificações de memória HBM3. O SK hynix aumentou de forma independente sua largura de banda dos 5,2 Gbps originalmente anunciados para 6,4 Gbps por contato. No entanto, até o momento não se sabe o quão próximas as características dos chips de memória do fabricante sul-coreano estão das especificações finais do padrão, que será utilizado na produção em massa de aceleradores gráficos de nova geração.
Os módulos DRAM SK hynix HBM3 podem conter até 12 cristais de memória empilhados em uma pilha vertical com um controlador na parte inferior da montagem e unidos por uma interface de 1024 bits. Embora o próprio controlador não tenha mudado desde os dias do padrão de memória HBM2, um número maior de cristais de memória em um módulo e uma frequência operacional aumentada permitem alcançar uma taxa de transferência de dados na interface de 819 GB / s, que é 78% mais rápida do que a memória HBM2E.
Um produto teórico baseado em 12 módulos de memória HBM3 da SK hynix oferecerá 288 GB de memória total com uma largura de banda máxima de até 9,8 TB / s.
2021-11-11 19:00:56
Autor: Vitalii Babkin