Der chinesische Chiphersteller Innosilicon sagte, er sei in der Lage gewesen, LPDDR5X-Speicherchips dazu zu bringen, mit einer beeindruckenden Geschwindigkeit von 10.000 Mbit/s zu laufen. Dies ist 17 % höher als 8533 Mbit/s, was die maximale Frequenz in der JEDEC-genehmigten Spezifikation für LPDDR5X ist. Außerdem konnte der chinesische Hersteller die Verzögerungen von LPDDR5X-Speicherchips reduzieren.
LPDDR5X-Speicherchips werden in Zukunft in Mobilgeräten der nächsten Generation verwendet. Verschiedene Hersteller testen sie derzeit. Vor nicht allzu langer Zeit gab beispielsweise Qualcomm bekannt, dass es den LPDDR5X-DRAM von Samsung für die Verwendung mit kommenden Snapdragon-Smartphones validiert hat. Samsung kündigte im vergangenen November die branchenweit ersten 14-nm-16-GB-LPDDR5X-Speicherchips an. Damals gab das Unternehmen bekannt, dass seine Speicherchips mit Geschwindigkeiten von bis zu 8500 Mbit/s arbeiten könnten. Bisher wurden Mikroschaltungen mit Geschwindigkeiten von bis zu 7500 Mbps validiert.
Es sieht so aus, als würde Innosilicon noch schnellere LPDDR5X-10000-Chips auf den Markt bringen. Gemäß den JEDEC-Spezifikationen kann der LPDDR5X-8533-Speicher eine Bandbreite von bis zu 68,2 GB/s liefern. Und der LPDDR5-6400 kann bis zu 51,2 GB/s übertragen. Bei LPDDR5X-10000-Speicherchips sprechen wir von einem Durchsatz von 80 GB / s, was 17 % über dem von JEDEC für diesen Speichertyp angegebenen Höchstwert und 56,2 % über LPDDR5-6400 liegt.
Innosilicon stellt außerdem fest, dass es in der Lage war, die Latenz der LPDDR5X-10000-Chips um 15 % zu reduzieren. In Kombination mit hohen Datenraten bieten diese Chips einen erheblichen Leistungsschub für Geräte, die von 5G-Smartphones und Virtual-Reality-Headsets bis hin zu autonomen Fahrsystemen in Autos reichen.
2022-06-25 16:28:24
Autor: Vitalii Babkin