Le fabricant de puces chinois Innosilicon a déclaré qu'il était capable de faire fonctionner les puces de mémoire LPDDR5X à une vitesse impressionnante de 10 000 Mbps. C'est 17% supérieur à 8533 Mbps, qui est la fréquence maximale dans la spécification approuvée par JEDEC pour LPDDR5X. De plus, le constructeur chinois a pu réduire les délais des puces mémoire LPDDR5X.
Les puces de mémoire LPDDR5X seront utilisées dans les appareils mobiles de prochaine génération à l'avenir. Divers fabricants les testent actuellement. Il n'y a pas si longtemps, par exemple, Qualcomm a annoncé qu'il avait validé la DRAM LPDDR5X de Samsung pour fonctionner avec les prochains smartphones Snapdragon. Samsung a annoncé les premières puces mémoire LPDDR5X 14 nm 16 Go de l'industrie en novembre dernier. À cette époque, la société a annoncé que ses puces de mémoire pourraient fonctionner à des vitesses allant jusqu'à 8500 Mbps. A ce jour, des microcircuits avec des débits allant jusqu'à 7500 Mbps ont été validés.
Il semble qu'Innosilicon soit sur le point de commercialiser des puces LPDDR5X-10000 encore plus rapides. Selon les spécifications JEDEC, la mémoire LPDDR5X-8533 est capable de fournir jusqu'à 68,2 Go/s de bande passante. Et le LPDDR5-6400 est capable de transférer jusqu'à 51,2 Go/s. Dans le cas des puces mémoire LPDDR5X-10000, on parle d'un débit de 80 Go / s, soit 17% de plus que le chiffre maximum déclaré par JEDEC pour ce type de mémoire, et 56,2% de plus que LPDDR5-6400.
Innosilicon note également qu'il a pu réduire de 15% la latence des puces LPDDR5X-10000. Combinées à des débits de données élevés, ces puces offriront une amélioration significative des performances pour les appareils allant des smartphones 5G et des casques de réalité virtuelle aux systèmes de conduite autonome dans les voitures.
2022-06-25 16:28:24
Auteur: Vitalii Babkin