Chiphersteller optimieren langsam aber sicher die Herstellungstechnologie für DDR5-Chips. Unterschieden sich solche Chips anfangs leistungsmäßig kaum von der Vorgängergeneration, so haben sie inzwischen gelernt, den neuen Arbeitsspeicher bis an die Grenzwerte zu übertakten. Einschließlich einer mobilen Version.
Heute gab SK hynix die Entwicklung des weltweit schnellsten DRAM-LPDDR5T-Mobilspeichers (Low Power Double Data Rate 5 Turbo) bekannt und stellte Partnern sogar Produktmuster zur Verfügung.
Der neue LPDDR5T-Standard ermöglicht das Übertakten von Speicherchips auf bis zu 9600 MHz ohne die Folgen von Instabilität oder Überhitzung. Diese Zahl ist 13 % höher als die Leistung des LPDDR5X der vorherigen Generation. Um auf diese Fähigkeiten hinzuweisen, fügte das Unternehmen dem Akronym LPDDR5 Turbo hinzu. Chips arbeiten im Ultra-Low-Voltage-Bereich – von 1,01 bis 1,12 V. Dies garantiert einen ultraniedrigen Stromverbrauch.
SK hynix plant, in der zweiten Jahreshälfte mit der Massenproduktion von LPDDR5T im 1-nm-Prozess zu beginnen – der vierten Generation der Zehn-Nanometer-Technologie.
2023-01-25 11:15:27
Autor: Vitalii Babkin
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