Samsung plant, eine Technologie namens Back Side Power Delivery Network (BSPDN) in seinem Herstellungsprozess für seine 2-nm-Chips zu verwenden. Diese Technologie wurde letzte Woche vom Forscher Park Byung-jae auf der von Samsung veranstalteten Konferenz SEDEX 2022 vorgestellt.
Technisch gesehen ändert BSPDN nicht die Art und Weise, wie Transistoren auf einem Chip platziert werden, sondern ist eine Weiterentwicklung des von Samsung, Intel und TSMC verwendeten Chiplet-Designs und eine Weiterentwicklung von Technologien wie FinFET, GAA und MBCFET.
Mit BSPDN können Sie komplexe Systems-on-a-Chip (SoC) erstellen, die verschiedene Chips von verschiedenen Unternehmen umfassen können, die mit unterschiedlichen technologischen Verfahren hergestellt werden.
Ein weiterer Vorteil der BSPDN-Technologie ist die Fähigkeit, sogenannte 3D-SoCs zu erstellen – Chipsätze, in denen Logikelemente mit Speicher kombiniert werden. Mit der BSPDN-Technologie können Sie auch eine leitfähige Schicht unter dem Silizium platzieren und die oberste Schicht (FSPDN) für Steuersignale und Strom verwenden.
Nach vorläufigen Berechnungen werden Chips, die mit der neuen BSPDN-Technologie hergestellt werden, eine um 44 % höhere Leistung aufweisen und 30 % weniger Strom verbrauchen als Samsungs aktuelle 3-nm-GAA-Chips.
2022-10-20 18:25:32
Autor: Vitalii Babkin