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サムスンが最新の3nmチップを米国大統領に紹介する

サムスンが最新の3nmチップを米国大統領に紹介する

米国のジョー・バイデン大統領が韓国を訪問する際、サムスン電子の工場を訪問し、3nm技術を使用して製造された最新のチップを展示する予定です。

アメリカの元首が就任してから初めてのアジア諸国訪問。10日前、韓国の尹錫淑(ユン・スクヨル)新大統領が就任した。バイデンの3日間の訪問は、ソウルの南70kmにある世界最大の半導体製造工場である平沢にあるサムスンの化合物への訪問から始まります。

韓国の聯合ニュースは、サムスン電子の李在鎔副社長がアメリカの政治家の巨大な複合体を個人的に見学すると報じている。同社は、Gate-All-Around(GAA)技術を使用して製造された次世代の3 nmチップをバイデン氏にデモンストレーションします。このような半導体の大量生産は、今後数か月以内に開始されます。

サムスンによると、GAAテクノロジーはコンポーネントのサイズを35%削減すると同時に、5nmプロセスに基づくチップと比較してパフォーマンスを30%向上させるか、消費電力を50%削減することができます。同社によれば、2 nmプロセスノードの開発はすでに進行中であり、それらをベースにした量産は2025年に予定されている。

ただし、TrendForceのアナリストによると、台湾のTSMCはチップのコントラクトマニュファクチャリングの世界的リーダーであり、昨年の第4四半期には世界市場の52.1%を占めていましたが、2位のSamsungはわずか18.3のシェアしかありませんでした。 %。


2022-05-20 14:06:24

著者: Vitalii Babkin

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