Hot Chips 33で、Samsungは世界初の512GBDDR5-7200メモリモジュールの作成を発表しました。韓国のメーカーによると、この新製品は、DDR4メモリと比較して大幅に高いパフォーマンスと速度、および2倍の量を提供します。
512GB DDR5-7200モジュールの製造では、Samsungはランダムポイントスルーレイヤー接続を特徴とする3D TSV（スルーシリコンビア）テクノロジーを使用して組み合わせたDDR5クリスタルの8層スタックを使用しました。
DDR5チップの8層レイアウトにもかかわらず、パッケージ内の完成したチップの高さは、DDR4の1.2mmに対してわずか1.0mmです。新しいレイヤリングテクノロジーを使用して、同社はメモリクリスタル間のギャップを最大40％削減することができ、スタック全体の高さを削減しました。
プレゼンテーション中に、SamsungはDDR5-7200メモリモジュールの製造にSame BankRefreshテクノロジーを適用したことも発表しました。その特徴は、メモリの一部のバンクは更新を実行できますが、他のバンクは他の操作でビジー状態になる可能性があることです。さらに、メーカーはメモリバスパフォーマンスの10％の向上をキャンセルし、信号品質を向上させる追加のディシジョンフィードバックイコライゼーション（DFE）回路のサポートを発表しました。これらは高周波でのメモリチャネルの反射ノイズを低減します。 DIMMとチャネルの数DDR5。
新しいDDR5-7200メモリモジュールはわずか1.1Vの電圧で動作しますが、DDR4の標準電圧は1.2Vです。High-Kメタルシャッターテクノロジーも参照してください。また、DDR5メモリはオンダイエラー訂正コード（ODECC）テクノロジをサポートしていることにも注意してください。
サムスンが提供するDDR5メモリはデータセンターを対象としています。消費者向けDDR5モジュールは、より小型になる可能性が高く、ブラケットあたり最大64GBです。サムスンは今年末までに512GBDDR5-7200メモリモジュールの量産を開始する予定です。製造業者は、新しいRAM規格への大規模な移行は2023-2024までに行われると考えています。
2021-08-23 13:06:30
著者: Vitalii Babkin