Au Hot Chips 33, Samsung a annoncé la création du premier module de mémoire DDR5-7200 de 512 Go au monde. Selon le fabricant sud-coréen, le nouveau produit offre des performances et une vitesse nettement supérieures, ainsi que deux fois plus que la mémoire DDR4.
Dans la production du module DDR5-7200 de 512 Go, Samsung a utilisé une pile de huit couches de cristaux DDR5 combinés à l'aide de la technologie 3D TSV (through-silicon via), caractérisée par des connexions à travers la couche à points aléatoires.
Malgré la disposition à huit couches des puces DDR5, la hauteur de la puce finie dans le boîtier n'est que de 1,0 mm contre 1,2 mm pour la DDR4. En utilisant de nouvelles technologies de superposition, l'entreprise a pu réduire l'écart entre les cristaux de mémoire jusqu'à 40 %, ce qui a réduit la hauteur de l'ensemble de la pile.
Lors de la présentation, Samsung a également annoncé avoir appliqué la technologie Same Bank Refresh à la production du module de mémoire DDR5-7200. Sa particularité est que si certaines banques de mémoire peuvent effectuer une mise à jour, d'autres banques peuvent être occupées par d'autres opérations. En outre, le fabricant a annulé une augmentation de 10 % des performances du bus mémoire et annoncé la prise en charge de circuits supplémentaires d'égalisation à retour de décision (DFE) qui améliorent la qualité du signal : ils réduisent le bruit réfléchi dans les canaux mémoire à haute fréquence, ce qui est assez important lors de l'utilisation d'un grand nombre de DIMM et de canaux DDR5.
Le nouveau module de mémoire DDR5-7200 fonctionne à une tension de seulement 1,1 V, tandis que la tension standard pour la DDR4 est de 1,2 V. Voir aussi Technologie d'obturateur High-K Metal. Il est également à noter que la mémoire DDR5 prend en charge la technologie ODECC (On-Die Error Correction Code).
La mémoire DDR5 présentée par Samsung sera destinée aux data centers. Les modules DDR5 grand public sont susceptibles d'être plus petits - jusqu'à 64 Go par support. Samsung prévoit de lancer la production en série de modules de mémoire DDR5-7200 de 512 Go d'ici la fin de l'année. Le constructeur estime que la transition massive vers la nouvelle norme RAM se fera au plus tôt en 2023-2024.
2021-08-23 13:06:30
Auteur: Vitalii Babkin