X-NAND テクノロジーは、NEO Semiconductor が昨年夏に初めて導入したもので、セルあたり 3 ビット以上のフラッシュ メモリの主な欠点である、リソースの削減と書き込み速度の低下を克服することが期待されているため、多くの関心を集めています。
16 列 (Y-Plane) を同時に処理できる統合バッファーの使用とその他の多くのトリックのおかげで、開発者は従来の SLC よりも QLC X-NAND の優位性を達成することができました。少なくとも理論的には。実際には、会社は 16 の Y 列の 4 つの層を使用し、SLC モードで 3 つのプレーンに書き込むことができ、4 番目の層は記録されたデータを TLC モードと並行して転送するために使用されました。これにより、従来のTLCチップの10倍となる1600MB/sの一定書き込み速度を実現しました。
そして最近では、新しい第 2 世代の X-NAND が発表されました。そのために、パフォーマンスが 2 倍に向上することが発表され、新しい NEO Semiconductor チップは、並列処理に関して多少異なる配置になっています。現在、SLC 記録と TLC 圧縮は、利用可能な 4 つのプレーンの各ペアで実行されます。これにより、最大3200MB / sの2倍の書き込み速度が可能になりました。開発者はまた、ランダム操作での読み取り/書き込み速度が 3 倍になり、レイテンシがわずかに減少したことを報告しています。同時に、第 2 世代の X-NAND 結晶のサイズは変わりませんでした。
このアーキテクチャは、SLC から PLC まで、ほぼすべての合理的なセルあたりのビット数を備えたフラッシュ メモリ オプションの実装をサポートし、このテクノロジにより、主要な NAND デバイス サプライヤの技術プロセスに基づいて X-NAND 生産を展開できます。 NEOセミコンダクターによると、X-NANDの生産のための生産の近代化のコストはほぼゼロです。悲しいかな、同社は主要なプレーヤーのいずれかが新しいメモリの大量生産を開始する準備ができているかどうかを公式に発表していません.
2022-08-12 04:18:48
著者: Vitalii Babkin