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NEO Semiconductor dévoile la deuxième génération de mémoire X-NAND unique

NEO Semiconductor dévoile la deuxième génération de mémoire X-NAND unique

La technologie X-NAND, introduite pour la première fois par NEO Semiconductor l'été dernier, a suscité beaucoup d'intérêt car elle promet de surmonter les principaux inconvénients de la mémoire flash à trois bits ou plus par cellule : ressources réduites et faible vitesse d'écriture.

Grâce à l'utilisation d'un tampon unifié capable de desservir simultanément 16 colonnes (Y-Plane) et un certain nombre d'autres astuces, les développeurs ont réussi à atteindre la supériorité de QLC X-NAND même sur le SLC classique. Du moins en théorie. En pratique, la société a utilisé quatre couches de 16 colonnes en Y, ce qui a permis d'écrire dans trois plans en mode SLC, tandis que le quatrième a été utilisé pour transférer les données enregistrées en parallèle en mode TLC. Cela a permis d'atteindre une vitesse d'écriture constante de 1600 Mo/s - 10 fois supérieure à celle d'une puce TLC classique.

Et plus récemment, une nouvelle deuxième génération de X-NAND a été annoncée. Pour cela, une double augmentation des performances est annoncée et les nouvelles puces NEO Semiconductor sont disposées quelque peu différemment en termes de parallélisme : désormais l'enregistrement SLC et le compactage TLC sont effectués dans chaque paire de quatre plans disponibles. Cela a permis de doubler la vitesse d'écriture, jusqu'à 3200 Mo/s. Les développeurs signalent également une multiplication par trois des vitesses de lecture/écriture sur les opérations aléatoires et une légère diminution de la latence ; dans le même temps, la taille du cristal X-NAND de deuxième génération n'a pas changé.

L'architecture prend en charge la mise en œuvre d'options de mémoire flash avec presque n'importe quel nombre raisonnable de bits par cellule, du SLC au PLC, tandis que la technologie permet de déployer la production X-NAND sur la base des processus techniques de n'importe quel fournisseur majeur de dispositifs NAND. Selon NEO Semiconductor, nous parlons de coûts presque nuls pour la modernisation de la production pour la production de X-NAND. Hélas, la société n'a pas officiellement annoncé si l'un des principaux acteurs était prêt à lancer une production de masse de nouvelles mémoires.


2022-08-12 04:18:48

Auteur: Vitalii Babkin

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