Lors de la conférence IEDM à San Francisco, IBM et Samsung ont dévoilé un nouveau design pour le placement vertical des transistors dans les puces. La technologie des transistors à effet de champ à transport vertical (VTFET) peut soit améliorer considérablement les performances, soit réduire la consommation d'énergie de la puce par rapport aux puces traditionnelles de taille comparable.
Dans les processeurs et chipsets modernes, les transistors sont appliqués à une plaquette de silicium dans un plan horizontal. A l'inverse, lors de l'utilisation de VTFET, les transistors sont disposés verticalement.
Selon les développeurs, ce type de développement présente deux avantages. Premièrement, bon nombre des restrictions imposées aux technologies actuelles par la loi de Moore sont contournées. Deuxièmement, la nouvelle conception permet de réduire les pertes électriques grâce à une redirection d'énergie plus efficace. Selon les estimations des sociétés de développement, cela permettra de créer des puces deux fois plus rapides ou utilisant 85 % moins d'énergie que des semi-conducteurs similaires créés à l'aide de la technologie FinFET.
Selon IBM et Samsung, l'utilisation d'un tel procédé technique permettra un jour la sortie de smartphones pouvant fonctionner toute une semaine sans recharge et/ou effectuer des tâches énergivores, dont le cryptomining, avec moins de consommation d'énergie et moins de dommages aux l'environnement.
IBM et Samsung n'ont pas précisé quand ils avaient l'intention de commercialiser le nouveau design. Ce ne sont pas les seules entreprises à essayer de surmonter les limitations existantes. En juillet, Intel a annoncé la création d'une option de disposition des transistors qui lui permettrait d'aller au-delà de l'échelle nanométrique d'ici 2024 et de construire des puces conformément au processus Intel 20A de classe Angstrom utilisant un nouveau type de transistors RibbonFET.
2021-12-13 19:25:40
Auteur: Vitalii Babkin