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サムスンは3nmプロセス技術に基づく最初のテストチップをリリース

サムスンは3nmプロセス技術に基づく最初のテストチップをリリース

サムスンは、GAA(サラウンドゲート)トランジスタ構造を備えた3nm製造技術に基づく最初のトライアルチップをリリースしたとトムのハードウェアは書いています。チップの開発には、半導体製品の開発と製造に従事する韓国企業の一部門であるSamsung Foundryが、ソフトウェアツールFusion DesignPlatformのSynopsysを使用したことが示されています。

サムスンの3GAA製造プロセスでは、GAAトランジスタを使用しています。これは、同社の既存のトランジスタよりも密度が高く、リーク電流が少なく、パフォーマンスが高いものです。 GAAトランジスタの利点の1つは、トランジスタ内のチャネルまたはナノページを目的の幅に設定することにより、パフォーマンスとエネルギー効率を変更できることです。

サムスンの3GAAテクノロジーの利点を実践するには、シノプシスが提供するソフトウェアツールが必要でした。これは、トランジスタの配置、レベル計画ルール、ルーティング、および製造におけるジオメトリの変動性に関する新しい複雑な方法論を考慮に入れています。

シノプシスのデジタルデザイングループマネージャーであるShankarKrishnamoorthyは、次のように述べています。

Synopsysソフトウェアツールを使用して、Samsung Foundryのエンジニアは、チップの実際の大量生産でよく使用される機能ブロックを含む高度なマルチシステムSoC(System-on-a-Chip)を開発しました。

新しいチップ製造プロセスを製品に採用した最初の顧客は、スマートフォン、PC、TV、その他の機器用のSoCを開発するSamsungの部門であるLSIである可能性があります。


2021-07-02 02:11:43

著者: Vitalii Babkin

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